Número de Producto del Fabricante:
DMN2450UFB4-7R
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2450UFB4-7R-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
8052 Pcs Nuevos Originales En Stock
12888139
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ENVIAR
DMN2450UFB4-7R Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
56 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-XFDFN
Número de producto base
DMN2450
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN2450UFB4-7R-DG
31-DMN2450UFB4-7RDKR
31-DMN2450UFB4-7RTR
31-DMN2450UFB4-7RCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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