Número de Producto del Fabricante:
IQE013N04LM6ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQE013N04LM6ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4
Inventario:
13079 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954679
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ENVIAR
IQE013N04LM6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 51µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3900 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-4
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IQE013
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQE013N04LM6ATMA1CT
448-IQE013N04LM6ATMA1TR
448-IQE013N04LM6ATMA1DKR
SP005340902
2156-IQE013N04LM6ATMA1-448
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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