Número de Producto del Fabricante:
FDD86102LZ
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD86102LZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
20852 Pcs Nuevos Originales En Stock
12838862
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
jfD0
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDD86102LZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1540 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD86102
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD86102LZ-DG
ONSONSFDD86102LZ
2156-FDD86102LZ-OS
FDD86102LZFSDKR
FDD86102LZFSCT
FDD86102LZFSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
94-2989
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
FQPF5N90
MOSFET N-CH 900V 3A TO220F
FCPF190N65S3R0L
MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
