Número de Producto del Fabricante:
NTMS5P02R2SG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMS5P02R2SG-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12856602
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NTMS5P02R2SG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.95A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.25V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
790mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
NTMS5P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2156-NTMS5P02R2SG-ONTR
NTMS5P02R2SGOSTR
NTMS5P02R2SG-DG
=NTMS5P02R2SGOSCT-DG
NTMS5P02R2SGOSCT
ONSONSNTMS5P02R2SG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTMS5P02R2G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2315
NÚMERO DE PIEZA
NTMS5P02R2G-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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