Número de Producto del Fabricante:
EMB9T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
EMB9T2R-DG
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
13522576
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EMB9T2R Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
10kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
EMT6
Número de producto base
EMB9T2
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
EMB9T2RTR
EMB9T2R-ND
EMB9T2RCT
EMB9T2RDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DDA114YH-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DDA114YH-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.06
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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