Número de Producto del Fabricante:
2SK3564(STA4,Q,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
176 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890039
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ENVIAR
2SK3564(STA4,Q,M) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
π-MOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
2SK3564
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564(Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564Q-DG
2SK3564(STA4Q)-DG
2SK3564STA4QM
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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