Número de Producto del Fabricante:
RN2711JE(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN2711JE(TE85L,F)-DG
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventario:
3900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889090
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ENVIAR
RN2711JE(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
10kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
200MHz
Potencia - Máx.
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-553
Paquete de dispositivos del proveedor
ESV
Número de producto base
RN2711
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
RN2711JE(TE85LF)DKR
RN2711JE(TE85LF)CT
RN2711JE(TE85LF)TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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