Número de Producto del Fabricante:
TK31V60X,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK31V60X,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventario:
23868 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890724
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Mínimo 1
w88R
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ENVIAR
TK31V60X,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
98mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja
4-VSFN Exposed Pad
Número de producto base
TK31V60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TK31V60X,LQ(S
TK31V60XLQDKR
TK31V60XLQCT
TK31V60XLQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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